研究分野

半導体集積回路デバイス・プロセス

研究テーマ

(1) シリコンカーバイド（SiC）集積回路デバイスの研究
(2) 高性能薄膜トランジスタの研究とその応用研究

研究ビジョン

　本研究室では、実験を第一とし、実経験を通し考え工夫し、研究を行い、またこのような研究活動を通した教育を行っている。次の3点をビジョンとしている。
(1) 物理学を基盤とした理論で裏打ちされた独創性のあるデバイス・プロセス技術の構築
(2) クリーンルーム実験研究を通した実践教育による次世代を担う人材の育成
(3) 地域産業界との連携による最先端技術移転による産業創成

研究説明

１．シリコンカーバイド（SiC）集積回路デバイスの研究

　ワイドバンドギャップをもつSiC半導体を用いた電子デバイスの研究を行っている。耐高温・耐放射線の極限環境のためのSiC CMOS集積回路の研究、更に高い電力制御を行うパワー半導体デバイスの研究を行っている。

２．高性能薄膜トランジスタの研究とその応用研究

　連続発振レーザを用いたシリコン瞬時溶融結晶化により、面方位を制御した高性能薄膜トランジスタ作製を行っている。これにより素子性能バラつきを低減した次世代高性能シリコン薄膜トランジスタを実現する。デバイス試作と同時に、単一結晶粒界の挙動解明なども行っている。さらにメディカル応用デバイスとして、電気泳動・誘電泳動原理と組み合わせたチップ（ネフロンチップ）を提案し、研究を進めている。

Fig.1: SiC Semiconductor Chip.

Fig.2: CW laser Crystallization Apparatus.

Fig.3: TFT Active Matrix Chip for Medical Application.